历史首次！三星将使用长江存储专利技术

三星将在今年下半年，开始使用中国存储专利技术生产相应的芯片。

据韩媒ZDNet Korea 报道，三星电子已与中国存储芯片厂商长江存储(“YMTC”)签署了开发堆叠400多层NAND Flash所需的“混合键合”技术的专利许可协议。

按照消息人士的说法，三星计划于2025年下半年量产下一代V10 NAND，将使用长江存储的专利技术，特别是在“混合键合”技术方面。

混合键合技术作为一种先进的封装技术，结合了晶片间键合和晶片内键合的优点，可以实现高性能、高密度和高可靠性的封装连接。在3D NAND闪存制造中，混合键合技术尤为关键，它能够显著提高传输速率、降低功耗，并提高产品的整体可靠性。随着NAND闪存堆叠层数的不断增加，混合键合技术的需求也日益增长。

长江存储自2018年推出自研的Xtacking技术以来，在混合键合技术方向上进行了大量的投资，并取得了显著的成果。目前，长江存储自研的Xtacking技术已经进展到了4.x版本，并且成功量产了160层、192层、232层以及更高堆叠层数的NAND闪存产品。此外，长江存储还在积极研发更高堆叠层数的NAND闪存，并计划在未来几年内推出更多创新产品。

三星之所以选择向长江存储获取“混合键合”专利授权，主要由于目前长江存储在“混合键合”技术方面处于全球领先地位。并且三星经过评估认为，“开发 V10、V11 和 V12 等下一代 NAND Flash，几乎不可能规避长江存储的专利”，需要通过与长江存储合作，三星才能更快地推进其NAND闪存产品的技术升级和市场拓展。

对于长江存储来说，此次向三星这样的头部存储技术大厂提供专利许可，属于是中国存储产业历史上的首次，充分凸显了长江存储在3D NAND领域的技术创新实力。

对于中国存储行业来说，三星采用长江存储的专利技术生产芯片是一个令人振奋的消息。这不仅体现了中国科技自主创新的成果，也展示了中国存储企业在全球市场上的竞争力和影响力。

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