昆芯 诚邀参观｜2024深圳充换电展CPSE

2、硅化硅62MM 1200V 200A模块

     硅化硅62MM 1200V 300A模块

     硅化硅62MM 1200V 400A模块

     硅化硅62MM 1200V 600A模块

产品介绍：

最新的SiC模块（例如62mm封装的1200V 200A、300A、400A模块）相比传统的Si IGBT模块可以显著降低反向恢复损耗，具体来说，这种替换可以使反向恢复损耗降低84%，总的开关损耗降低70%。这表明SiC模块在动态参数和损耗方面表现出色，尤其适合需要高速开关的应用场景。

• 导通和开关损耗

昆芯科技推出的62mm封装SiC产品展示了其在导通和开关损耗方面的优越性能。在高温条件下，跨导增大开关损耗比室温情况下的开关损耗小，可实现更快的开关速度。这意味着SiC 62mm 1200V 200A、300A、400A等模块不仅在导通损耗上有所改进，而且在开关速度和灵活性方面也有显著提升。

• 热管理与封装技术

为了提高功率密度和热管理能力，SiC模块通常采用先进的封装技术。例如，昆芯科技的62mm封装SiC模块使用了低热阻和低杂散封装技术，以及Si3N4 AMB低热阻基板。这些技术有助于降低模块的热阻，提高其在高结温工况下的性能。此外，一些模块还采用了铜基板进行散热，进一步增强了热管理能力。

• 应用领域

SiC 62mm 1200V 200A、300A、400A模块因其出色的性能，被广泛应用于多个领域。例如，它们被用于逆变变频等领域。

综上所述，SiC 62mm 1200V 200A、300A、400A模块在动态参数、导通和开关损耗、热管理和封装技术等方面表现出色，使其成为高性能电力电子应用的理想选择。随着技术的不断进步和成本的逐步降低，SiC模块有望在未来得到更广泛的应用。

3、 硅化硅Easy2B 1200V 100A 模块

      硅化硅Easy2B 1200V 240A 模块

      硅化硅Easy2B 1200V 320A 模块

产品介绍：

• 采用的技术：采用了Press - Fit压接工艺、带NTC温度检测以及高封装可靠性的氮化硅AMB陶瓷基板等技术。

• 性能表现：在导通电阻、开关损耗、抗误导通、可靠性等方面表现出色。

• 应用领域：可应用于大功率快速充电桩模块、不间断电源UPS、高频DCDC变换器、高端工业焊机等领域。

• 其他特性：具有高可靠性碳化硅晶圆。1.芯片精细元胞平面栅工艺,栅极质量可靠,Rsp国际领先,综合优势明显2.芯片采用直条和菱形导流元胞相结合的设计，大大降低了开通和关断损耗3.兼容+15,+18,+20V驱动电压,方便使用4.高温Rds,on小,适合高温运行，Tj=175°C,及BV一致性好,满足车厂一致性高要求。

11月5-7日

深圳会展中心

昆芯（上海）科技有限公司

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2024深圳充换电展CPSE

展位号：1B139

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