分享: |
第24届中国国际光电博览会将于9月6-8日在深圳国际会展中心隆重举办,CIOE同期信息通信展将重点打造通信器件模块馆(11&12号馆),重点展示光芯片及电芯片相关新产品、新技术,部分参展企业如:AOI、ARTILUX、ALIGHT、BROADCOM、COHERENT高意、COLORCHIP、CREDO、DENSELIGHT、HAMAMATSU、HITACHI、INSIGA、IRIDIAN、MACOM、MARVELL、PIC ECOSYSTEM、PPI、POET、REALBROAD、SICOYA、SEMTECH、SIFOTONICS、光迅、烽火、海思、海信、贝思科尔、斑岩、曦智、源杰、芯思杰、敏芯、奇芯、国家信息光电子创新中心、长光华芯、仕佳、明夷科技、剑桥、烽火、科大亨芯、云岭、光森、橙科微、慧芯、玏芯、鼎芯、三安集成、中电十三所、度亘、工研拓芯、新微半导体、鹏瞰、光安伦、优迅、中科光芯、神州高芯、领慧立芯、联合微电子、亿芯源、仟目、嘉纳海威、苏纳、华芯、艾锐、元芯、全磊、电科芯片、常州光芯、飞昂创新、长瑞、微龛、芯耘、贝思科尔、欧亿、觉芯、傲科、矽安、国惠、博升、富泰、光隆、逍遥、宏芯、凌越、光特、矽感锐芯、中科院微电子研究所、中科微光子、卓昱光子、米硅、摩本、科谱、胜创、芯波微、赛格瑞、纳米克、华飞、双芯微、勒威、汉希科特、老鹰半导体、微视传感、众瑞速联、宙镓、易缆微、固家、安湃芯研、见炬科技、中国电科十八所、纳米克热电、新赛尔、布莫让、冷芯、冠晶、富信、大和等企业(排名不分先后)都将在现场精彩亮相!
本期光博君为大家盘点了部分,更多展品持续更新中,敬请期待!
文章篇幅较长,建议您先收藏或登记领取参观证件,我们将在7月28日前发送文档到您的登记邮箱。(此前已经登记过的请私信回复“邮箱地址+光芯片”)
部分展品抢先看(排名不分先后)国家信息光电子创新中心
· 信息通信展 12E31展位高速调制器
MZ135-LN60调制器内置有薄膜铌酸锂MZI调制器芯片,可在O-band 、C-band波段工作,具有高速、低啁啾、高线性度等特性,可提供定制化封装。3dB带宽>60GHz, Vpi(@1GHz)=2.7V 光插入损耗7dB
武汉安湃光电有限公司· 信息通信展 12B906展位薄膜铌酸锂调制器芯片
芯境科技(上海)有限公司 CREDO
· 信息通信展 11C21展位光模块DSP芯片
Credo的低功耗、高性能DSP产品拥有业界领先的传输性能,能够为云规模、超大规模和企业级数据中心,以及5G基础设施部署中的50G-800G PAM4光模块提供光互连,功耗及价格极具市场竞争力。产品采用Credo专有的DSP技术和均衡技术有助于补偿光学损伤,以实现最佳的整体系统性能、信号完整性和低功率。Credo光DSP现有单通道100G的Dove和单通道50G的Seagull两个产品系列。其中Seagull全系列可选配支持工温,且已推出集成VCSEL/EML Driver的产品。
背板芯片
Credo以其领先的低功耗Line Card解决方案,满足性能、功耗、成本多方位需求,为加速实现下一代交换机部署提供了完美解决方案。Credo的线卡芯片,以Credo高性能SerDes IP为基础,构建专用和多模retimer、gearbox和MacSec产品解决方案,满足了客户对产品性能、功率和价格目标,从而支持并加快了下一代交换机的部署。
日立高新技术(深圳)贸易有限公司 HITACHI
· 信息通信展 11D52展位光子集成电路芯片
Materion精密光学的激光偏振二向色片,定制化的光学膜层设计,为客户偏振态激光光学系统提供优秀的光穿透与反射功能,可以应用于投影显示,激光电视,智能照明等领域。
PPI Inc.
· 信息通信展 12A808展位
MUX/DEMUX芯片
MUX-芯片 DEMUX-芯片 LWDM-芯片 CWDM4-芯片
AWG芯片
32CH-AWG芯片 40CH-AWG芯片 48CH-AWG芯片 80CH-AWG芯片 96CH-AWG芯片
WDM芯片
CWDM CHIP DWDM CHIP LWDM CHIP
波亿光电子深圳有限公司 POET
· 信息通信展 11C63展位400G Transmitter OE
400G FR4 光引擎系列产品是基于POET Optical Interposer, 100G DFB 激光器,专有的Flip-chip工艺,为终端客户提供高性能和低成本400G芯片方案。
800G Receiver OE
POET 800G (2x400G FR4) 接收机光引擎集成SSC, 偏振不敏感低损耗Demux,56G PD及800G TIA于一体。为业界最小800G接收机光引擎。
光电集成生态系统 PIC ECOSYSTEM
· 信息通信展 12D11展位
光电集成芯片设计和制造
电磁场仿真工具,链路仿真工具,芯片版图工具,芯片设计和版图服务,SOI硅基光电子芯片流片服务,Si3N4光电集成芯, 流片服务,LNOI光电集成芯片流片服务,III-V光电集成芯片流片服务,SiO2光电集成芯片流片服务。
光电集成芯片封装和系统
高精度芯片贴装,高精度微透镜耦合,高精度FA和透镜光纤耦合,激光器老化,硅光模组老化,双光子三维灰度光刻,硅光通信光模块封装,硅光计算模组封装,集成激光雷达模组封装,集成光学频率梳模组封装,集成光量子信息模组封装,超分辨成像,和生物医学光电模组封装。
上海瑞波电子科技有限公司 Realbroad
· 信息通信展 11D55-5展位光通信芯片
High Sensitivity and Cost-Performance TIA Family: 1.25Gbps~10Gbps Low cost 3 in 1(LDD+ LA+ DDMI) one chipset solution for GPON/EPON/SFP Producing A Wide Chipset Solution, 155M ~ 4Gbps (LDD+LA) For 10G PON & GPON’s APD boost MCU for SFP/SFP+.
深圳市贝思科尔软件技术有限公司
· 信息通信展 11D021展位FloTHERM/FloEFD热仿真软件
FloTHERM:专业电子热设计/热仿真分析软件 -支持多CPU无限并行运算/求解速度业内最快 -芯片级/板级/系统级/环境级热分析 -80%电子散热市场占有率 -支持目标驱动自动优化设计 -参数化建模功能/智能模型库 -基于互联网的标准IC封装热分析模型库 FloEFD:主流三维CAD 软件中的高度工程化的通用流体传热分析软件 -直接嵌入三维CAD 软件环境 -矩形的自适应网格 -修正的壁面函数 -强大的层流-过渡-湍流模拟能力 -自动收敛控制和变量设计分析 -工程化的用户界面。
深圳市斑岩光子技术有限公司
· 信息通信展 12E21展位
28GBaud/56GBaud/112GBaud EML
高速EML芯片,速率28GBaud/56GBaud/112GBaud,支持100G-ER4/ZR4, 100G-LR1/ER1, 400G-DR4/FR4/LR4/ER4, 800G-FR4/LR4等应用。
28GBaud/56GBaud 差分驱动EML
高速差分驱动EML,速率28GBaud/56GBaud,可以由不集成Driver的CDR或者DSP直接驱动工作,支持100G-LR4/200G-FR4,400G-DR4/FR4等应用。
上海曦智科技有限公司
· 信息通信展 11D091展位Moonstone
曦智科技所有产品系列,亦可为第三方应用提供激光光源解决方案。Moonstone组件为客户提供了一种具有竞争力的激光光源解决方案,可实现多至8个通道波长的光输出,除了良好的内部光耦合效率和控温设计,该产品同时具备了高功率和低功耗的性能优点。
PACE
PACE是曦智科技第二代光子计算处理器。PACE的核心是64x64的光学矩阵乘法器,由一块集成硅光芯片和一块CMOS微电子芯片以3D封装形式堆叠而成。PACE的单个光子芯片中集成超过10000个光子器件,运行1GHz系统时钟,运行特定神经网络算法的速度可达目前高端GPU的数百倍。
中科微光子科技(成都)有限公司
· 信息通信展 11A65-3展位硅光晶圆制造流片服务
中科院微电子所硅光平台对外提供基于8英寸SOI的光子集成流片服务以及8英寸硅基SiN光子集成流片服务。基于SOI的工艺模块包括220 nm/150 nm/70 nm无源器件刻蚀工艺、高速调制器掺杂工艺、TiN加热电极工艺、锗材料外延工艺、硅和锗的欧姆接触及金属层工艺等。平台每年可对外提供6-8次MPW流片服务。同时为了满足客户的特殊工艺要求,可提供工艺定制服务。基于硅基SiN的光子集成流片服务以定制化为主,平台已实现SiN器件库。
厦门市三安集成电路有限公司
· 信息通信展 12B61展位
VCSEL
VCSEL(Vertical Cavity Surface Emitting Laser), 即垂直腔面发射激光器,具有阈值电流小,发光效率高、波长可选择、耦合效率高、尺寸小等优点。目前,三安集成已实现 10G VCSEL量产,25G VCSEL已经在客户端验证通过,消费端 VCSEL产品目前在开发过程中。
广东安捷康光通科技有限公司
· 信息通信展 11B11展位
8英寸AWG/WDM芯片
安捷芯是安捷康的子公司,是一家致力于设计、研发、制造基于PLC平面光波技术的WDM&AWG 晶圆/芯片。已建成投产的8英寸晶圆-芯片-组件-模块一站式生产园区,拥有万级千级百级净化室。安捷芯基于自主的半导体工艺的8英寸晶圆技术,与现在的6英寸晶圆工艺相比,能大大降低生产成本和提高产能。
苏州苏纳光电有限公司
· 信息通信展 11B808展位
非球/球硅透镜
硅透镜产品在国内处于领先地位 国内90%以上光模块企业均是苏纳客户 已实现2600万只以上硅透镜芯片的批量出货(其中非球透镜600万只) 全球第三家成功推出400G模块用球硅透镜阵列/非球硅透镜厂家 现可量产100余种硅基球透镜,70余种硅基非球透镜,为客户提供定制化产品超百款。产品应用在:光模块、非接触测温(手机)、1550nm激光雷达等领域。
武汉光安伦光电技术有限公司
· 信息通信展 11C26展位光通信芯片及材料
10G 1577/1550nm EML
厦门优迅高速芯片有限公司
· 信息通信展 11C33展位XGPON OLT方案:UX3367S+UX2420S
UX3367S包括带CDR的10Gbps EML激光驱动器和2.5Gbps突发模式限幅放大器,可用于XGPON OLT光模块。UX2420S是用于XG-PON OLT接收的高灵敏度突发模式跨阻放大器。UX6001/UX6002是32位光通信用的微控制器,可以与XGPON OLT方案搭配使用。
XGSPON OLT方案:UX3366S+UX2461
UX3366S包括带CDR的10Gbps EML激光驱动器和突发模式限幅放大器,可用于XGSPON OLT光模块。UX2461是突发模式跨阻放大器,专门设计符合XGSPON OLT应用需要的灵敏度和相应时间。UX6001/UX6002是32位光通信用的微控制器,可以与XGSPON OLT方案搭配使用。
成都英思嘉半导体技术有限公司 INSIGA
· 信息通信展 12A61展位ISG-D5640H 53Gbaud/s四通道MZ驱动器
英思嘉ISG-D5640H是一款适用于 LPO, 400G DR4, 800G DR8应用的高性能、四通道 53Gbaud/s MZ 驱动芯片。该驱动器差分输入高达 500mVpp,增益高达26dB。在线性模式下,输出摆幅高达 3.5Vpp。集成SPI控制器功能;AGC自动增益控制功能;提供共模电压监测功能;提供了PIC 加热器控制和两路自动光功率控制功能。
ISG-C2925 25G CDR+EML+BM LA
英思嘉ISG-D5640H是一款适用于 LPO, 400G DR4, 800G DR8应用的高性能、四通道 53Gbaud/s MZ 驱动芯片。该驱动器差分输入高达 500mVpp,增益高达26dB。在线性模式下,输出摆幅高达 3.5Vpp。集成SPI控制器功能;AGC自动增益控制功能;提供共模电压监测功能;提供了PIC 加热器控制和两路自动光功率控制功能。
芯思杰技术(深圳)股份有限公司
· 信息通信展 11A53展位多通道56GBaud InGaAs PIN PD系列芯片
该多通道56GBaud阵列400Gbps光探测器芯片,是顶部入光和台面结构的高速数字PIN光探测器芯片,该系列产品对应的光敏区直径分别有16μm、20μm、22μm、24μm。芯片间距有500μm和750μm两种。产品主要特点是高带宽、低电容、低暗电流和高可靠性,该产品广泛应用于400G和800G数据中心。
25Gbps/50Gbps APD芯片
该25Gbps/50Gbps APD光探测器芯片是GSG电极结构,为正面入光的高速雪崩光探测器芯片,光敏区尺寸分别是Φ16μm/Φ12μm。产品的主要特点是高倍增、低电容、低温度系数和高可靠性,主要用于25G PON、50G PON、5G无线和100G ER4。
陕西源杰半导体科技股份有限公司
· 信息通信展 12B51展位10G&25G CWDM6 DFB Laser
应用于5G前传,面对5G前传高速率、大容量、省光纤的应用场景,该系列芯片源杰2020年国内发货量位居榜首,大批量交付给多个业内领先的光模块和系统设备厂家。
武汉云岭光电股份有限公司· 信息通信展 12T32展位EML 25G 1310/1358nm/LWDM chip
EML 25G 1358nm Chip,在20°C~60°C工作温度下运行速率高达28G,脊波导结构,具有多量子阱n型衬底有源层和光栅,低阈值电流,用于以太网、数据中心等。28G LWDM Chip,波长覆盖1295.56/1300.05/ 1304.58/ 1309.14 nm,在LWDM最高运行速率可达28G,脊波导结构,具有多量子阱n型衬底有源层和光栅,低阈值电流,工作温度范围为20°C至60°C,符合RoHS标准,符合Telcordia GR-468标准,用于光纤以太网等。
EML 10G1550nm/1577nm/DWDM chip
EML 10G 1577nm Chip,脊波导结构,具有多量子阱有源层和单片集成量子阱EA调制器,冷却操作温度为45℃至55℃,主要用于XGSPON OLT;EML 10G TDM/DWDM Chip,波长覆盖1529.55nm到1560.61nm,ITU DWDM 100GHz信道间距,脊波导结构,高可靠性激光器和EA调制器设计,传输距离可达80Km,冷却操作温度为45℃至55℃,符合RoHS标准,符合Telcordia GR-468标准,用于光纤以太网等。
深圳博升光电科技有限公司· 信息通信展 12D71展位高速光通信VCSEL光芯片
高速光通信VCSEL光芯片,25G NRZ、50G PAM4、100G PAM4
桂林光隆科技集团股份有限公司· 信息通信展 11A15展位半导体激光器芯片
雷光科技专注于制造高端半导体激光芯片,产品主要用于数据通信和电信市场。3英寸晶圆:3英寸晶圆上每颗芯片都有独一的代号,测试后能做局部分析mapping。DFB激光器芯片:DFB激光器,即分布式反馈激光器,内置布拉格光栅,属于边发射的半导体激光器。在光通信领域中主要以磷化铟(InP)半导体材料为介质。产品特性:窄线宽、宽温域、波长稳、高速率。产品应用:5G通信、激光传感、光纤到户、数据中心。
苏州长瑞光电有限公司
· 信息通信展 12C75展位
垂直腔面发射激光器
型号描述:HC-YR4085 功能特性:Wavelength:850nm Bandwidth:19 GHz Application:200G SR4/400G SR8、200G/400G AOC Status:Mass production 应用:200G SR4; 400G SR8; 200G/400G AOC
苏州长光华芯光电技术股份有限公司
· 信息通信展 12D16展位
10G EML
10G 1577nm EML,应用于10G PON 接入网领域,具备高输出功率,高消光比等优势;
50G PAM4 VCSEL
50G PAM4 VCSEL,工作波长850nm,1 single、1*2、1*4 array 多种封装形态,支撑数据中心100G/200G/400G 短距应用场景;
天津科谱技术有限公司
· 信息通信展 11C23展位25Gbps 直调DFB激光器
科谱技术的25Gbps 直调DFB激光器,主要应用在数据中心及5G基站的高速光通信模块,3dB带宽大于18GHz,温度操作范围有0-75°C和-20~+85°C两款,波长涵盖了CWDM、MWDM或LAN-WDM的应用。
2.5Gbps及10Gbps 直调DFB激光器
科谱技术的1310nm波长的直调2.5Gbps的DFB激光器主要应用在GPON的光通信模块,操作温度范围为-40-85°C的工业规格,产品拥有优良的操作特性与可靠度。1310nm波长的直调10Gbps的DFB激光器主要应用在10Gbps的光通信模块,操作温度范围为-40-85°C的工业规格,产品拥有优良的操作特性与可靠度。270nm波长的直调10Gbps的DFB激光器主要应用在XGPON的光通信模块,操作温度范围为-40~+85°C的工业规格,产品拥有优良的操作特性与可靠度。
无锡神州高芯科技有限公司
· 信息通信展 11C75展位
芯片
VCSEL芯片:现有10G/40G, 25G/100G,50/200G PAM4 VCSEL芯片, 高芯的VCSEL在COB & TO封装形式下,可以满足工业级要求。50G/200G VCSEL芯片可以支持DSP 和 CDR 应用。高芯可以提供VCSEL TO封装,1x12 VCSEL等定制化和服务。DFB芯片:高芯提供10G PON, 10G 灰光, 10G BiDi, 10G CWDM前6波 DFB 芯片。高芯的DFB可以满足工业级要求。
徐州仟目科技集团有限公司
· 信息通信展 12C53展位
850nm 结构光芯片
高发光效率、发光点亮度提升150%,伪随机不对称点阵。广泛应用与工业、消费电子,高精度测量,面部识别与深度感知。
940nm TOF光芯片
在手机的深感摄像头量产,拥有高稳定性,高量产性和优秀的发光效率,广泛用于TOF深度识别,红外照明。
浙江老鹰半导体技术有限公司
· 信息通信展 12A52展位50G PAM4 VCSEL芯片
850nm 56G 系列VCSEL芯片
产品特征:850nm多模激光输出;低阈值电流和低工作电流;高可靠性,低功耗;低寄生电容;高低温稳定性;高波长稳定性;56Gpbs调制速率。应用领域:高速光通信;大数据中心;芯片互联。
日照市艾锐光电科技有限公司
· 信息通信展 12C21展位10G 1270nm DML激光器芯片
AZURi 10G 1270nm DML激光器是一种基于脊波导结构的分布反馈(DFB)单纵模边发射半导体激光器,其有源区采用AlGaInAs材料的应变多量子阱结构。芯片的前、后出光面分别镀有高反膜和增透膜。其具有低阈值电流、大输出功率、小发散角以及低功耗的特点,满足25 oC ~ 85oC环境下的非制冷应用需求。
宁波元芯光电子科技有限公司
· 信息通信展 11A25展位25G高速直调分布式反馈激光器芯片
基于我们独创的设计,我们的DFB激光器具有55dB的边模抑制比,且在-40℃到85℃不跳模。波长准确度做到+/-1纳米在常温和85℃下,该DFB激光器在60 mA注入电流情况下分别实现了大约23GHz和18GHz的3-dB调制带宽。
苏州鼎芯光电科技有限公司
· 信息通信展 11E55展位
DML 10G 1271nm CWDM/MWDM Chip
此款产品采用了含Al材料作为多量子阱有源层结构,并采用双沟脊波导结构,实现了宽的温度范围内(0℃-85℃)波特率均能达到10.5Gb/sec,同时由于工艺及设计的先进性,此款产品拥有低阈值,高出光效率,高边模抑制比以及高良率低成本的优势。为保证实际网络传输中信号的可靠度,此款芯片产品通过Telcordia GR-468标准的检验,并在所有芯片出货前均经历严格的Certification流程。波长覆盖 1270nm XGS-PON ONU应用,以及CWDM4 4波长和MWDM 12波。
DML 25G CWDM4 Chip
此款产品采用了含Al材料作为多量子阱有源层结构,并采用双沟脊波导结构,实现了工业温度范围(-40C~85C)范围内都能实现25Gbps的波特率。由于工艺及设计的先进性,此款产品拥有低阈值,高出光效率,高边模抑制比以及高良率低成本的优势。为保证实际网络传输中信号的可靠度,此款芯片产品通过全套Telcordia GR-468标准的检验,并在所有芯片出货前均经历严格的Certification流程,以确保产品的高可靠性。波长覆盖CWDM4 4波长(1271nm,1291nm,1311nm,1331)。
福建中科光芯光电科技有限公司
· 信息通信展 11C25展位2"3"外延片
1、通过MOCVD在InP衬底上生长InP/InGaAsP或InP/InGaAIAs激光外延结构,提供中心波长从1250nm至1650nm的各类FP及DFB激光器外延片; 2、特征 中心波长从1250至1650nm 厚度误差控制在5%以内 掺杂浓度1e17至1e19,误差控制在20%以内材料缺陷低50cm-2(D>10um)。
2.5G /10G/25G 芯片
1、描述:对外延片进行镀膜、光刻、刻蚀、腐蚀、清洗、以及光栅再生长等工序形成芯片;进行解离、镀膜、测试等形成合格的芯片 2、特征:响应波长1250nm~1650nm 直调速率2.5Gbps/10 Gbps/25Gbps 1310nm DFB LR/25Gbps 1270~1370nm DFB CWDM/1550nm高功率DFB激光器 符合RoHS
深圳逍遥科技有限公司· 信息通信展 12D62展位pSim 硅光芯片链路仿真器
pSim是硅光芯片链路仿真工具,可验证多模、双向和多通道光电链路,在时域或频域进行分析。其提供类似于传统EDA电子电路工具基于电路图的设计环境,方便设计由众多组件所组成的光电链路。分层设计环境及可视化直观操作接口使得设计者能轻松通过将各个组件相互连接并仿真分析整体系统,验证系统在时域及频域上的响应。内建链路范例包含解多工链路、光侦测器的敏感度和线性度分析、调制器分析、行波调制器分析、CWDM以及相干光收发器包含光纤的信号传输质量分析。
深圳市富泰克光电有限公司
· 信息通信展 12A11、12A21展位激光器芯片
Lumentum是数据通信激光芯片的领导者,具有高性能、示范性的制造规模和产品维度。EML芯片引领数据中心向400G和800G过渡。DML芯片广泛应用于数据中心模块和5G无线前端链路. VCSEL已经完成100G PAM4样品设计。Mantis是一颗多结Vcsel阵列激光器芯片,可用在TOF LiDAR飞行时间式激光雷达应用场景。
5nm 400G/800G数字信号处理芯片
Keystone是Maxlinear 具有高集成度的PAM4 DSP SoC,可实现 800Gbps光学单波100G传输,光/电接口均支持 106.25Gbps PAM4 信令适用于DR、FR 和 LR 应用。该器件支持丰富的数字信号处理功能。采用12mm × 13mm封装,集成EML驱动器,差分摆幅可达4.0Vpp 可直驱硅光(SiPh)和电吸收调制激光器 (EML),为 112G信号提供出色的信号完整性,适用于下一代QSFP-DD800和OSFP等封装尺寸,也支持裸die应用于CPO等场景。
飞昂创新科技南通有限公司· 信息通信展 11A63展位FA6421 / FA6422
Optoelectronic Transceiver Chipset with 4x Vcsel Driver and PIN TIA Target application: All fiber or Hybrid AOC for HDMI 2.1 + DisplayPort 1.4
度亘核芯光电技术(苏州)有限公司
· 信息通信展 12C25展位高功率多模单管/巴条芯片
高功率单管芯片 波长范围:700nm~1100nm 功率范围:5W~45W 发光宽度:100μm~320μm 腔长范围:1mm~5.5mm 偏 振:TE 95%~97% 产品特点:高偏振度,小发散角,高电光效率,高波长一致性 高功率巴条芯片 波长范围:700nm~1100nm 功率范围:CW:50W~200W QCW:100W~700W 填充因子:20%~80% 腔长范围:1mm~4 mm 偏 振:TE 产品具有高电光效率,高腔面损伤阈值(COMD),高波长一致性。
上海米硅科技有限公司
· 信息通信展 12D33展位ms58000 –XGS PON OLT收发芯片
ms58000是具有高集成度的收发芯片,满足XGS PON应用需求。发射端带有均衡及预加重功能,集成APC自动功率控制及多项眼图调整功能,可采集数字诊断DDM所需温度,电压和电流等信息。高灵敏度限幅放大器,集成AC耦合电容以及放电开关,实现快速突发模式信号检测,输出幅度可调,支持灵活的脉冲展宽时间设置。
玏芯科技(广州)有限公司
· 信息通信展 12A91展位Coherent Driver and TIA
相干光通信用driver和TIA芯片组,传输速率覆盖64G~128GBaud。芯片具有带宽高,功耗低,增益大,支持倒装焊封装,具有SPI和模拟两种控制接口等特点。driver芯片差分输出幅度高达4Vpp,可调增益范围大,内置peaking detector。TIA芯片输入噪声电流低,AGC输出幅度可调,具有AGC和MCG模式。
Nx100G PAM4 driver and TIA
芯片支持单通道/4通道/8通道,发射端有支持VCSEL和MZI不同的driver产品,多通道TIA支持250um/500um/750um多种不同的通道间距。芯片具有高带宽、低功耗的特点,driver芯片输出幅度大,兼容数字和模拟两种控制方式;TIA芯片输入噪声低,BER floor低,输出幅度可调。
苏州领慧立芯科技有限公司
· 信息通信展 12D812展位LH32M3XX
LH32M3XX系列MCU是完全集成的单封装器件,集成高性能模拟外设和数字外设和72 MHz ARM Cortex-M3处理器。LH32M3XX采用低功耗 ARM Cortex-M3处理器,32位RISC处理器的峰值性能最高可达90MIPS。片上PLL支持72MHz时钟频率。集成2个128 kB Flash存储器和1个32 kB SRAM,两个Flash支持地址交换。集成了多路输入12bit ADC(外部16路,4路片内),4路12bit VDAC,内置温度传感器和4路模拟比较器。
中电科芯片技术(集团)有限公司
· 信息通信展 12D31-2展位光通信用探测器芯片、激光器芯片及器件模组等
拥有完整的半导体光电探测器/激光器芯片生产线,产品包含2.5G/10G DFB、2.5G/10G/25G APD、25G/4*25G PD等多类光收发芯片,及TO、OSA封装生产线,是国内光通信领域的主流供应商。
河南仕佳光子科技股份有限公司
· 信息通信展 11B28展位气体传感用激光光源
气体传感用激光光源是仕佳光子针对TDLAS的应用特点,设计开发的一个系列产品,该系列产品有以下特点:可提供1260nm~1700nm内任意波长 高出光功率:0~100mW可选择 良好的线性度 可选择的波长/温度漂移系数。
宏芯科技(泉州)有限公司· 信息通信展 12C73展位400G硅光DR4发射芯片
● 速率:4×100 Gbps PAM4 ● 工作波长:1310 nm ● 单通道插损:<4.5 dB ● 电光带宽:>38 GHz ● 差分阻抗:60 ohms ● 差分驱动电压:3.5 Vppd ● 消光比:>4.5 dB ● 工作温度:0~70 ℃
杭州芯耘光电科技有限公司· 信息通信展 11B21展位100G LR4/CWDM4/PSM4 CDR集成套片
XY5924D+XY5424是带DML驱动器和TIA的高性能4*28G CDR集成套片。XY5924D是CDR+DML driver,具有高输入抖动容限、低输出抖动和可调DFB激光器偏置和调制电流,支持输入端50Ω终端的差分AC耦合信号,具有25Ω终端和用于激光阳极(TOUTAx)和激光阴极(TOUTCx)的专用引脚。芯片以eWLB封装形式提供。XY5424是CDR+TIA集成芯片,XY5424_BT2 为 250um 版本,XY5424_BT7 为 750um 版本。该芯片以裸片形式提供。
苏州易缆微半导体技术有限公司
· 信息通信展 11E11展位数据中心400G 硅光集成芯片
数据中心400G 硅光集成芯片:1、4通道4*100Gbps Mach-Zehnder硅基混合集成调制器 2、工作波段1290nm-1330nm 3、高带宽响应 4、低半波电压 5、低调制啁啾 6、小尺寸
微龛(广州)半导体有限公司
· 信息通信展 11D62展位四通道25Gbps时钟数据恢复及跨阻放大器集成模块
支持速率:25.2~28.1Gbps -12dBm典型灵敏度:BER 1E-12,25.78Gbps, ER=4dB 高灵敏度限幅放大器及LOS判断 单通道典型功耗223mW 无参考时钟以及带宽可调CDR,并支持bypass模式 输出支持预加重以及编程处理 支持时钟监控,输出8/16分频时钟 数字诊断监控RSSI电流 支持-40℃至95℃芯片工作温度。
鹏瞰科技(上海)有限公司
· 信息通信展 11E53展位VN1802 GPON OLT 芯片
VN1802是一款高度集成的单芯片、高性能PON OLT SoC,支持GPON,为FTTR应用提供功能丰富且经济高效的解决方案。VN1802集成了标准PON MAC、网络交换引擎(NSE)、SoC子系统和NNI以太网端口,支持HSGMII(2.5G)和10Gbps XFI、KR和USXGMII接口,以及许多其他常见的外围接口。VN1802是业界第一款可用于FTTR应用的ASIC方案,相比FPGA方案其低功耗、低成本、高性能、高可靠等特性使得FTTR真正迈入可商用和可大规模推广
上海新微半导体有限公司
·信息通信展 12C61展位10G DFB Laser Chip
基于磷化铟材料的10G DFB Laser光发射芯片具有低阈值、高功率,工业级温度和高可靠性特性,产品可用于光纤通信、数据中心和接入网等领域。芯片结构为含Al量子阱、脊波导结构;运用MOCVD设备生长外延片、光栅层二次外延;主要晶圆制造工艺包括Stepper曝光、EBL光栅曝光、ICP刻蚀光栅、E-Gun/sputter金属、自动腐蚀/清洗、减薄和划裂等。
APD芯片
新微半导体已完成基于平面结雪崩光电探测器的全工艺开发,运用MOCVD设备生长外延片和Zn扩散,晶圆制造工艺包括Stepper曝光、E-Gun/sputter金属工艺、自动腐蚀/清洗、BCB、ICP干法/湿法刻蚀、减薄、划裂等工艺技术,产品可应用于光纤通信、近红外成像、激光雷达等市场。
山西国惠光电科技有限公司
· 信息通信展 12E633展位InGaAs短波红外双波段焦平面探测器
国惠光电自主研发生产的可见光-短波红外焦平面阵列探测器,将传统的铟镓砷探测器的光谱响应范围从900-1700nm延展到400-1700nm。可同时实现对可见光, 近红外和短波红外的探测和成像。有效地结合了不同波段在其成像及光谱分析方面的优势, 在多光谱和高光谱成像等方面都有十分广泛的应用。
无锡微视传感科技有限公司
· 信息通信展 12B813展位MEMS 微镜芯片-稳态MEMS微镜
微视传感的MEMS 微镜芯片采用的是梳齿平板电容结构的静电驱动技术,梳齿驱动结构具有两排交错的梳齿,其中一排与基底连接,另外一排与镜面相连接。在平板电容的两端施加电压,上级板可动,下极板固定,梳 齿之间的电场发生变化产生作用力而使得镜面偏转。根据不同的使用场景,可以让MEMS微镜工作在悬停的稳态、 一直旋转的谐振态以及一轴稳态一轴谐振态的混合态。
MEMS 微镜芯片-扫描MEMS微镜
微视传感的MEMS 微镜芯片采用的是梳齿平板电容结构的静电驱动技术,梳齿驱动结构具有两排交错的梳齿,其中一排与基底连接,另外一排与镜面相连接。在平板电容的两端施加电压,上级板可动,下极板固定,梳 齿之间的电场发生变化产生作用力而使得镜面偏转。根据不同的使用场景,可以让MEMS微镜工作在悬停的稳态、 一直旋转的谐振态以及一轴稳态一轴谐振态的混合态。
湖北赛格瑞新能源科技有限公司· 信息通信展 11C815-1展位Micro-TEC
一种微型半导体致冷芯片,可实现主动致冷,具有体积小,响应迅速的优点,主要应用于激光通讯、激光吸收光谱、光谱学等领域,用于实现光芯片的精准控温,控温精度可达0.01℃。Micro-TEC自主可控,打破国际垄断完全国产化,不惧国际形势变化,拥有敏锐的市场响应速度,已及稳定的交付周期
广西自贸区见炬科技有限公司
· 信息通信展 11D21展位微型半导体致冷器
微型半导体致冷器,为了满足器件微型化的发展趋势,采用了高性能热电材料和先进工艺开发的产品。常应用于光通信行业的激光发射器和其他行业的大功率小型激光器。
*以上企业和产品排名不分先后
更多参展品牌及产品持续更新中,敬请期待!
电话:13248139830(门票)
![]() |
![]() |
![]() |
![]() |
世展网公众号 |
微信小程序 |
销售客服 |
门票客服 |