5/16-18，鲁汶仪器将亮相深圳国际半导体展，欢迎莅临现场共商合作！

随着国际上高端量产芯片从14纳米到10 纳米阶段向7 纳米、5 纳米甚至更小的方向发展，当前市场普遍使用的沉浸式光刻机受光波长的限制，关键尺寸无法满足要求，必须采用多重模板工艺，利用刻蚀工艺实现更小的尺寸，使得刻蚀技术及相关设备的重要性进一步提升。根据Gartner的预测，全球半导体设备采购支出预计将保持稳定增长态势，刻蚀设备市场规模将由2020年约123亿美元增长至2024年约152亿美元，行业景气度持续提升。

SEMI-e 深圳半导体展深耕半导体行业领域，关注产业核心技术和发展趋势，通过搭建专业高端的产业生态交流平台，为粤港澳大湾区构建具有国际竞争力的现代产业体系贡献力量。本期将带大家了解SEMI-e深圳国际半导体展行业领先的半导体刻蚀设备企业代表：

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江苏鲁汶仪器股份有限公司

展位号：14D146

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鲁汶仪器于2015年，由比利时鲁汶仪器、中科院微电子研究所等共同注资成立。公司总部位于江苏省徐州市，在北京设有研发中心，在上海、成都、台湾新竹、新加坡、韩国光州等地设有市场和技术服务中心。

鲁汶仪器致力于为12英寸及8英寸集成电路制造线提供先进的装备和工艺解决方案。针对逻辑、存储、功率器件、光学、微显示等领域的关键工艺道次，鲁汶仪器研发了一系列12英寸及8英寸等离子体刻蚀系统、薄膜沉积系统，以及气相分解金属沾污收集系统（VPD），为客户提升产能、优化工艺提供稳定可靠的设备与完善的技术支持。

主要产品

Herent Chimera A

12英寸硬掩膜刻蚀系统

Herent Chimera A 金属硬掩膜刻蚀系统，为针对 12 英寸 IC 产业的后道铜互连中氮化钛（TiN）金属硬掩膜刻蚀（metal hardmask open） 这一重复道次高的工艺所开发的专用产品，以满足 12 英寸产线的各种硬质掩膜刻蚀需求。此外，Chimera A 硬掩模刻蚀腔可作为 LMEC-300 系统的选配模块，实现从金属硬掩模刻蚀到器件功能层刻蚀的一体化工艺。

Herent Chimera M

12英寸金属刻蚀系统

缺图

Herent Chimera M 金属刻蚀系统，为针对12英寸IC产业0.18微米以下后道高密度铝导线互连工艺所开发的专用产品， 同时也可应用于铝垫（Al pad）刻蚀。该系统承袭了 Chimera A 的先进设计理念，具有出色的均匀性调控手段， 可以为客户提供高性价比的解决方案。

Tebaank Pishow P

8英寸硅刻蚀系统

Tebaank Pishow P 硅刻蚀系统，为8英寸IC产线上栅极工艺的多腔式量产型设备，拥有自主开发的优化设计， 保证了优异的刻蚀均匀性（片内<5%，片间<5%）和颗粒控制。

提供AA、gate、STI、spacer、W recess等各项工艺的刻蚀解决方案。

该系统高性价比的解决方案和优秀的空间利用率，可为客户产能升级提供帮助。

Kessel Pishow M2

8英寸金属刻蚀系统

Kessel Pishow M2 金属刻蚀系统为可用于8英寸的IC产线铝金属互连工艺的量产型机台，基于自有开发的优化设计， 保证了优异的刻蚀均匀性（片内<5%，片间<3%），出色的刻蚀选择比（Al:PR>2.4），以及优良的颗粒控制。在0.11 μm技术代铝互连刻蚀工艺中，可以提供20000片/月的产能。MTBC可达400RF·h，稳定性优异。

该系统高性价比的解决方案和优秀的空间利用率，可为客户产能升级提供帮助。

Shale A 系列

8英寸等离子体增强化学气相沉积（PECVD）系统

Shale A系列等离子体增强化学气相沉积系统（PECVD），通过平行电容板电场放电产生等离子体，可以在400℃及以下沉积比较致密、均匀性较好的氧化硅、TEOS、BPSG、氮化硅、氮氧化硅、非晶硅、非晶碳、非晶碳化硅等薄膜。该系统采用了8英寸产线设备所通用的国际标准零部件，符合SEMI的设计标准，并通过了严苛的稳定性和可靠性测试验证。

第五届深圳国际半导体展通过一场亮点十足的科技盛宴，为产业链上下游节点的企业搭建出共享、交流、共创的广阔平台。同期将举行第五届5G&半导体产业技术高峰会。

届时，鲁汶仪器离子束刻蚀技术经理将带来“离子束刻蚀-AR/VR领域的图形化解决方案”主题演讲。感兴趣的观众即刻点击下方链接报名参会，精彩内容，欢迎来展会现场参观洽谈！

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